制造商产品编号:
DMG6602SVT-7
Product Overview
制造商:
Diodes Incorporated
零件编号:
DMG6602SVT-7-DG
描述:
MOSFET N/P-CH 30V 3.4A TSOT26
详细描述:
Mosfet Array 30V 3.4A, 2.8A 840mW Surface Mount TSOT-26
库存:
94237 件 新原装 现货
12888515
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DMG6602SVT-7 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 场效应管, MOSFET阵列
制造商
Diodes Incorporated
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Not For New Designs
科技
MOSFET (Metal Oxide)
配置
N and P-Channel
FET 特性
Logic Level Gate, 4.5V Drive
漏源电压 （Vdss）
30V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
3.4A, 2.8A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
60mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
2.3V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
13nC @ 10V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
400pF @ 15V
功率 - 最大值
840mW
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6
供应商设备包
TSOT-26
基本产品编号
DMG6602
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
DMG6602SVT-7DITR
DMG6602SVT7
DMG6602SVT-7DICT
DMG6602SVT-7DIDKR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
零件编号
BSL308CH6327XTSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
23401
部件编号
BSL308CH6327XTSA1-DG
单价
0.21
替代类型
MFR Recommended
零件编号
ZXMC3F31DN8TA
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
480
部件编号
ZXMC3F31DN8TA-DG
单价
0.21
替代类型
MFR Recommended
零件编号
AO6602L
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
可用数量
0
部件编号
AO6602L-DG
单价
0.14
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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