制造商产品编号:
DMG4N60SJ3
Product Overview
制造商:
Diodes Incorporated
零件编号:
DMG4N60SJ3-DG
描述:
MOSFET N-CH 600V 3A TO251
详细描述:
N-Channel 600 V 3A (Tc) 41W (Tc) Through Hole TO-251
库存:
12891862
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DMG4N60SJ3 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
3A (Tc)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
532 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
41W (Tc)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-251
包装 / 外壳
TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
基本产品编号
DMG4
附加信息
标准套餐
75
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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