DMG4N60SCT
制造商产品编号:

DMG4N60SCT

Product Overview

制造商:

Diodes Incorporated

零件编号:

DMG4N60SCT-DG

描述:

MOSFET N-CH 600V 4.5A TO220AB
详细描述:
N-Channel 600 V 4.5A (Ta) 113W (Ta) Through Hole TO-220-3

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DMG4N60SCT 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
FET 类型
N-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
600 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
4.5A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.5Ohm @ 2A, 10V
Vgs（th） （最大值） @ Id
4.5V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
14.3 nC @ 10 V
Vgs （最大值）
±30V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
532 pF @ 25 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
113W (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Through Hole
供应商设备包
TO-220-3
包装 / 外壳
TO-220-3
基本产品编号
DMG4

附加信息

标准套餐
50

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Affected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

替代模型

零件编号
AOT4N60
制造商
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
可用数量
423
部件编号
AOT4N60-DG
单价
0.35
替代类型
MFR Recommended
零件编号
FQP6N80C
制造商
onsemi
可用数量
344
部件编号
FQP6N80C-DG
单价
0.93
替代类型
MFR Recommended
零件编号
STP4NK60Z
制造商
STMicroelectronics
可用数量
851
部件编号
STP4NK60Z-DG
单价
0.65
替代类型
MFR Recommended
数字证书
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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