制造商产品编号:
DMG3415U-13
Product Overview
制造商:
Diodes Incorporated
零件编号:
DMG3415U-13-DG
描述:
MOSFET P-CH DFN-3
详细描述:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3
库存:
12884513
请求报价
数量
最低1
最低1
(*) 是必填项
我们将在24小时内回复您
我们将在24小时内回复您
提交
DMG3415U-13 技术规格
类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
包装
-
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 （Vdss）
20 V
电流 - 连续漏极 （Id） @ 25°C
4A (Ta)
驱动电压（最大 rds on，最小 rds on）
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs（th） （最大值） @ Id
1V @ 250µA
栅极电荷 （Qg） （Max） @ Vgs
9.1 nC @ 4.5 V
Vgs （最大值）
±8V
输入电容 （Ciss） （Max） @ Vds
294 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散（最大值）
900mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
SOT-23-3
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
基本产品编号
DMG3415
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
DMG3415U-13DI
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
替代模型
零件编号
SI2399DS-T1-GE3
制造商
Vishay Siliconix
可用数量
7732
部件编号
SI2399DS-T1-GE3-DG
单价
0.13
替代类型
MFR Recommended
零件编号
SI2323DDS-T1-GE3
制造商
Vishay Siliconix
可用数量
860
部件编号
SI2323DDS-T1-GE3-DG
单价
0.15
替代类型
MFR Recommended
零件编号
DMG3415UQ-7
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
3166
部件编号
DMG3415UQ-7-DG
单价
0.11
替代类型
Parametric Equivalent
数字证书
相关产品
DMG2301LK-7
MOSFET P-CH 20V 2.4A SOT23
DMN1054UCB4-7
MOSFET N-CH 8V 2.7A X1-WLB0808-4
DMN4026SK3-13
MOSFET N-CH 40V 28A TO252
