DMG3415U-13
制造商产品编号:

DMG3415U-13

Product Overview

制造商:

Diodes Incorporated

零件编号:

DMG3415U-13-DG

描述:

MOSFET P-CH DFN-3
详细描述:
P-Channel 20 V 4A (Ta) 900mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3

库存:

12884513
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DMG3415U-13 技术规格

类别
场效应晶体管, MOSFET晶体管, 单个场效应晶体管, MOSFET
制造商
Diodes Incorporated
包装
-
系列
-
产品状态
Active
FET 类型
P-Channel
科技
MOSFET (Metal Oxide)
漏源电压 (Vdss)
20 V
电流 - 连续漏极 (Id) @ 25°C
4A (Ta)
驱动电压(最大 rds on,最小 rds on)
1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
42.5mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (最大值) @ Id
1V @ 250µA
栅极电荷 (Qg) (Max) @ Vgs
9.1 nC @ 4.5 V
Vgs (最大值)
±8V
输入电容 (Ciss) (Max) @ Vds
294 pF @ 10 V
FET 特性
-
功率耗散(最大值)
900mW (Ta)
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
年级
Automotive
资格
AEC-Q101
安装类型
Surface Mount
供应商设备包
SOT-23-3
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
基本产品编号
DMG3415

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
DMG3415U-13DI

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095

替代模型

零件编号
SI2399DS-T1-GE3
制造商
Vishay Siliconix
可用数量
7732
部件编号
SI2399DS-T1-GE3-DG
单价
0.13
替代类型
MFR Recommended
零件编号
SI2323DDS-T1-GE3
制造商
Vishay Siliconix
可用数量
860
部件编号
SI2323DDS-T1-GE3-DG
单价
0.15
替代类型
MFR Recommended
零件编号
AO3415A
制造商
UMW
可用数量
0
部件编号
AO3415A-DG
单价
0.06
替代类型
MFR Recommended
零件编号
DMG3415UQ-7
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
3166
部件编号
DMG3415UQ-7-DG
单价
0.11
替代类型
Parametric Equivalent
数字证书
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