BC858B-7-F
制造商产品编号:

BC858B-7-F

Product Overview

制造商:

Diodes Incorporated

零件编号:

BC858B-7-F-DG

描述:

TRANS PNP 30V 0.1A SOT23-3
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 30 V 100 mA 200MHz 300 mW Surface Mount SOT-23-3

库存:

2850 件 新原装 现货
12884186
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BC858B-7-F 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
Diodes Incorporated
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Active
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
100 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
30 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
650mV @ 5mA, 100mA
电流 - 集电极截止(最大值)
15nA
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
220 @ 2mA, 5V
功率 - 最大值
300 mW
频率 - 过渡
200MHz
工作温度
-65°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备包
SOT-23-3
基本产品编号
BC858

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
3,000
其他名称
31-BC858B-7-FTR
31-BC858B-7-FDKR
31-BC858B-7-FCT
BC858B-7-F-DG

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075

替代模型

零件编号
BC858B-TP
制造商
Micro Commercial Co
可用数量
5537
部件编号
BC858B-TP-DG
单价
0.01
替代类型
MFR Recommended
零件编号
BC859B,215
制造商
NXP Semiconductors
可用数量
9498000
部件编号
BC859B,215-DG
单价
0.02
替代类型
Direct
零件编号
NSVMMBT589LT1G
制造商
onsemi
可用数量
0
部件编号
NSVMMBT589LT1G-DG
单价
0.16
替代类型
MFR Recommended
零件编号
BC858BLT3G
制造商
onsemi
可用数量
39239
部件编号
BC858BLT3G-DG
单价
0.01
替代类型
MFR Recommended
零件编号
BC858BE6327HTSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
0
部件编号
BC858BE6327HTSA1-DG
单价
0.03
替代类型
MFR Recommended
数字证书
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