制造商产品编号:
2N5551
Product Overview
制造商:
Diodes Incorporated
零件编号:
2N5551-DG
描述:
BJT TO92 160V NPN 0.625W 150C
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 200 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92
库存:
12883493
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2N5551 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
Diodes Incorporated
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
200 mA
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
160 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
200mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止（最大值）
-
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
80 @ 10mA, 5V
功率 - 最大值
625 mW
频率 - 过渡
300MHz
工作温度
-
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商设备包
TO-92
基本产品编号
2N5551
附加信息
标准套餐
2,000
其他名称
2N5551DICT
2N5551DITB
2N5551CT-DG
环境与出口分类
RoHS 状态
RoHS non-compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
数字证书
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