2N5551
制造商产品编号:

2N5551

Product Overview

制造商:

Diodes Incorporated

零件编号:

2N5551-DG

描述:

BJT TO92 160V NPN 0.625W 150C
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 160 V 200 mA 300MHz 625 mW Through Hole TO-92

库存:

12883493
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2N5551 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
Diodes Incorporated
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
200 mA
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
160 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
200mV @ 5mA, 50mA
电流 - 集电极截止(最大值)
-
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
80 @ 10mA, 5V
功率 - 最大值
625 mW
频率 - 过渡
300MHz
工作温度
-
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
供应商设备包
TO-92
基本产品编号
2N5551

附加信息

标准套餐
2,000
其他名称
2N5551DICT
2N5551DITB
2N5551CT-DG

环境与出口分类

RoHS 状态
RoHS non-compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0075
数字证书
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