2DB1132Q-13
制造商产品编号:

2DB1132Q-13

Product Overview

制造商:

Diodes Incorporated

零件编号:

2DB1132Q-13-DG

描述:

TRANS PNP 32V 1A SOT89-3
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor PNP 32 V 1 A 190MHz 1 W Surface Mount SOT-89-3

库存:

12882961
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2DB1132Q-13 技术规格

类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
Diodes Incorporated
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
PNP
电流 - 集电极 (Ic) (Max)
1 A
电压 - 集电极发射极击穿(最大值)
32 V
Vce 饱和度(最大值) @ Ib, Ic
500mV @ 50mA, 500mA
电流 - 集电极截止(最大值)
500nA (ICBO)
直流电流增益 (hFE) (最小值) @ Ic, Vce
120 @ 100mA, 3V
功率 - 最大值
1 W
频率 - 过渡
190MHz
工作温度
-55°C ~ 150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
TO-243AA
供应商设备包
SOT-89-3
基本产品编号
2DB1132

数据表和文档

数据表
HTML 数据表

附加信息

标准套餐
2,500
其他名称
2DB1132QDICT
2DB1132QDIDKR
2DB1132Q13
2DB1132QDITR

环境与出口分类

RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 (MSL)
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0075

替代模型

零件编号
PBSS5330X,115
制造商
Nexperia USA Inc.
可用数量
1010
部件编号
PBSS5330X,115-DG
单价
0.08
替代类型
MFR Recommended
零件编号
2SB1188-Q-TP
制造商
Micro Commercial Co
可用数量
0
部件编号
2SB1188-Q-TP-DG
单价
0.18
替代类型
MFR Recommended
零件编号
2SAR293P5T100
制造商
Rohm Semiconductor
可用数量
1
部件编号
2SAR293P5T100-DG
单价
0.08
替代类型
MFR Recommended
零件编号
2SB1188-R-TP
制造商
Micro Commercial Co
可用数量
0
部件编号
2SB1188-R-TP-DG
单价
0.15
替代类型
MFR Recommended
零件编号
2DB1132R-13
制造商
Diodes Incorporated
可用数量
2670
部件编号
2DB1132R-13-DG
单价
0.10
替代类型
Direct
数字证书
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