制造商产品编号:
BU426
Product Overview
制造商:
Central Semiconductor Corp
零件编号:
BU426-DG
描述:
TRANS NPN 375V 6A TO218
详细描述:
Bipolar (BJT) Transistor NPN 375 V 6 A 115 W Through Hole TO-218
库存:
12791369
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BU426 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 单极双极晶体管
制造商
Central Semiconductor
包装
-
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
6 A
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
375 V
Vce 饱和度（最大值） @ Ib， Ic
1.5V @ 500mA, 2.5A
电流 - 集电极截止（最大值）
-
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
-
功率 - 最大值
115 W
频率 - 过渡
-
工作温度
-
安装类型
Through Hole
包装 / 外壳
TO-218-3
供应商设备包
TO-218
数据表和文档
附加信息
标准套餐
1
环境与出口分类
RoHS 状态
RoHS non-compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
数字证书
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