制造商产品编号:
NE85633-T1B-A
Product Overview
制造商:
CEL
零件编号:
NE85633-T1B-A-DG
描述:
SAME AS 2SC3356 NPN SILICON AMPL
详细描述:
RF Transistor NPN 12V 100mA 7GHz 200mW Surface Mount 3-MINIMOLD
库存:
36000 件 新原装 现货
12966860
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NE85633-T1B-A 技术规格
类别
双极型晶体管 (BJT), 双极射频晶体管
制造商
CEL (California Eastern Laboratories)
包装
Tape & Reel (TR)
系列
-
产品状态
Obsolete
晶体管类型
NPN
电压 - 集电极发射极击穿（最大值）
12V
频率 - 过渡
7GHz
噪声系数 （dB Typ @ f）
1.1dB @ 1GHz
获得
11.5dB
功率 - 最大值
200mW
直流电流增益 （hFE） （最小值） @ Ic， Vce
50 @ 20mA, 10V
电流 - 集电极 （Ic） （Max）
100mA
工作温度
150°C (TJ)
安装类型
Surface Mount
包装 / 外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
供应商设备包
3-MINIMOLD
数据表和文档
数据表
HTML 数据表
附加信息
标准套餐
3,000
其他名称
3923-NE85633-T1B-ATR
环境与出口分类
RoHS 状态
ROHS3 Compliant
湿气敏感度等级 （MSL）
1 (Unlimited)
REACH 状态
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8542.31.0000
替代模型
零件编号
BF771E6327HTSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
2052
部件编号
BF771E6327HTSA1-DG
单价
0.08
替代类型
Similar
零件编号
BFR360L3E6765XTMA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
13089
部件编号
BFR360L3E6765XTMA1-DG
单价
0.08
替代类型
Upgrade
零件编号
BFR181WH6327XTSA1
制造商
Infineon Technologies
可用数量
38142
部件编号
BFR181WH6327XTSA1-DG
单价
0.04
替代类型
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